IRF640N – MOSFET canal N package TO-220AB
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IRF640N – MOSFET de potência de alto desempenho
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Description
IRF640N – MOSFET canal N
O IRF640N é um transístor MOSFET de potência de alto desempenho amplamente utilizado em diversas aplicações. Esses transístores apresentam um design robusto e desempenho confiável, tornando-os ideais para projetos eletrônicos exigentes.
Com seu pacote TO-220, ele oferece recursos eficientes de gerenciamento de energia e são fáceis de integrar em projetos de circuitos. Esses transístores são muito utilizados em amplificadores de potência de áudio, circuitos de controle de motores, reguladores de comutação e outras aplicações que exigem manuseio de alta corrente e tensão.
Se você precisa acionar motores, controlar cargas ou amplificar sinais, esses transístores MOSFET de potência oferecem excelente desempenho e durabilidade. Atualize seus projetos eletrônicos com este componente versátil e libere o seu potencial nos seus projetos.
Para que serve o Mosfet IRF640N:
- Amplificadores de potência de áudio;
- Circuitos de controle de motores;
- Reguladores de comutação;
- Outras aplicações que exigem manuseio de alta corrente e tensão.
Consulte o nosso documento aqui
Características:
- Transístor MOSFET canal N;
- formato: TO-220AB;
- Vds:200V;
- Id:18A;
- R:0.150ohm;
- Power Dissipation:150W
Como funciona o Mosfet IRF640N?
- Transístor de potência controlado por tensão no Gate para funcionar;
- Tensão aplicada entre Gate e Source (Vgs) apartir dos 3.8V: o Mosfet fica com uma corrente de dreno a fluir infinita como se fosse um circuito fechado, pois a sua resistência é de apenas 0.150Ω. Portanto, a carga é ligada no Dreno com uma resistência em série de valor e potência correta.
- A Corrente de dreno máxima recomendada é de 15Ampere, pelo que deverá colocar um dissipador de calor e testar a sua temperatura máxima;
Pode baixar o seu Datasheet aqui
Nota: É aconselhável o uso de dissipador de calor afim de evitar sobre-aquecimento em grande potência!
O transístor IRF640N pode ser substituído pelos seguintes transistores: 40N20, IRFB260N, IRFB4127, IRFB4127PbF, IRFB4227, IRFB4332, CS40N20A8, IRFB23N20D, IRFB31N20D, IRFB38N20D, IRFB4229, IRFB4233, IRFB42N20D.
Inclui: 1 x IRF640N – MOSFET de potência de alto desempenho.
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Additional information
Weight | 0.004 kg |
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Dimensions | 1 × 1 × 1 cm |
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